[14p-P03-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[14p-P03-10] Characterization of plasma-induced defects in GaN by the reverse bias annealing (3)

〇Kazuki Tanaka¹, Manato Fujitsuna¹, Seiji Nakamura¹ (1.Tokyo Metropolitan Univ.)

Keywords:

gallium nitride,plasma-induced defect,deep level transient spectroscopy

貴ガスプラズマ照射によって導入されたGaN中の欠陥に対して，逆バイアスアニール（RBA）を行い，I-V，C-VおよびDLTS測定による欠陥評価を報告する．