[14p-P03-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[14p-P03-10] 逆バイアスアニール法によるGaNのプラズマ照射誘起欠陥の挙動評価(3)

〇田中 和希¹、藤綱 真斗¹、中村 成志¹ (1.都立大SD)

キーワード：

窒化ガリウム、プラズマ照射誘起欠陥、深い準位過渡分光法

貴ガスプラズマ照射によって導入されたGaN中の欠陥に対して，逆バイアスアニール（RBA）を行い，I-V，C-VおよびDLTS測定による欠陥評価を報告する．