[14p-P03-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[14p-P03-11] Photon Enhanced Thermionic Emission Characteristics of p-type InGaN Surface Deposited with Cesium

〇Jotaro Tashiro¹, Shigeya Kimura², Hisao Miyazaki², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:

photon enhanced thermionic emission,indium gallium nitride

本研究では、p型InGaNにセシウム(Cs)を蒸着し、非常に低いもしくは負の電子親和力(NEA; Negative Electron Affinity)とすることで、100～800 ℃の温度域における光支援熱電子放出を実現するとともに、その電子放出特性を解析することで、p型InGaN表面におけるCsの吸着状態を評価・検討した。また、ドープ濃度のことなるp型InGaNの電子放出特性を比較し、光支援熱電子放出におけるMgドープ濃度の影響について検討した。