講演情報
[14p-P03-11]セシウムを蒸着したp型InGaNの光支援熱電子放出特性
〇田代 承太郎1、木村 重哉2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 研究開発センター)
キーワード：
光支援熱電子放出、窒化インジウムガリウム
本研究では、p型InGaNにセシウム(Cs)を蒸着し、非常に低いもしくは負の電子親和力(NEA; Negative Electron Affinity)とすることで、100～800 ℃の温度域における光支援熱電子放出を実現するとともに、その電子放出特性を解析することで、p型InGaN表面におけるCsの吸着状態を評価・検討した。また、ドープ濃度のことなるp型InGaNの電子放出特性を比較し、光支援熱電子放出におけるMgドープ濃度の影響について検討した。