[14p-P03-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[14p-P03-12] Two-dimensional characterization of micro-trench-structure GaN JBS Diode by scanning internal photoemission microscopy

〇Hiroki Imabayashi¹, Haruto Yoshimura¹, Hiroshi Ohta², Tomoyoshi Mishima², Kenji Shiojima¹ (1.Univ. of Fukui, 2.Hosei Univ.)

Keywords:

GaN junction barrier Schottky diode,scanning internal photoemission microscopy,two-dimensional characterization

界面顕微光応答法を用いて、微細トレンチ構造GaN ジャンクションバリアショットキーダイオードの二次元評価を行った。SIPM 像にはトレンチ構造に対応するリング状のパターンが明瞭にみられた．またショットキー接合部の信号強度は，PN接合部に比べ約1.3倍大きい値を示した。SIPM法は測定装置の分解能と同程度の微細構造の電極を評価できることを示した．