講演情報
[14p-P03-12]界面顕微光応答法による微細トレンチ構造GaN JBSダイオードの二次元評価
〇今林 弘毅1、吉村 遥翔1、太田 博2、三島 友義2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.法政大)
キーワード：
GaNジャンクションバリアショットキーダイオード、界面顕微光応答法、二次元評価
界面顕微光応答法を用いて、微細トレンチ構造GaN ジャンクションバリアショットキーダイオードの二次元評価を行った。SIPM 像にはトレンチ構造に対応するリング状のパターンが明瞭にみられた．またショットキー接合部の信号強度は，PN接合部に比べ約1.3倍大きい値を示した。SIPM法は測定装置の分解能と同程度の微細構造の電極を評価できることを示した．