Presentation Information
[14p-P03-13]Two-dimensional characterization for degradation resistance of Au/Ni/n-β-Ga2O3 Schottky contacts under applying voltage by scanning internal photoemission microscopy
〇Hiroki Imabayashi1, Hitose Sawazaki1, Kohei Sasaki2, Kenji Shiojima1 (1.Univ. of Fukui, 2.Novel Crystal Tech.)
Keywords:
beta-Ga2O3,Reliability characterization,scanning internal photoemission microscopy (SIPM)
界面顕微光応答法(SIPM)を用い，Au/Ni/n-β-Ga2O3ショットキー接触に高電圧を印加しながら電極界面のその場観察を試みた．得られたSIPM像は電極全面で均一であり、面内の信号値の標準偏差は，電圧印加0.5時間後で3.36%, 163時間後で3.17%とほほ変わらなかった．また電極面内の平均ショットキー障壁高さ値の変動は20 meVに留まっており，顕著な劣化はみられなかった．本研究により，SIPM法を用いることで，通電劣化をその場観察できることを実証した．
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