講演情報
[14p-P03-13]界面顕微光応答法によるAu/Ni/n型β-Ga2O3ショットキー接触の電圧印加下における劣化耐性の二次元評価
〇今林 弘毅1、澤崎 仁施1、佐々木 公平2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
β-Ga2O3、信頼性評価、界面顕微光応答法（SIPM）
界面顕微光応答法(SIPM)を用い，Au/Ni/n-β-Ga2O3ショットキー接触に高電圧を印加しながら電極界面のその場観察を試みた．得られたSIPM像は電極全面で均一であり、面内の信号値の標準偏差は，電圧印加0.5時間後で3.36%, 163時間後で3.17%とほほ変わらなかった．また電極面内の平均ショットキー障壁高さ値の変動は20 meVに留まっており，顕著な劣化はみられなかった．本研究により，SIPM法を用いることで，通電劣化をその場観察できることを実証した．