[14p-P03-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[14p-P03-17] Molecular Dynamics Study of the Clustering tendencies of C atoms in Amorphous SiO₂ with different O and N-containing conditions.

〇Keigo Ogawa¹, Hiroki Sakakima¹, Sakurako Miyazaki¹, Satoshi Izumi¹ (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:

carbon cluster,molecular dynamics,SiC power device

SiCパワーデバイスの信頼性低下の原因となる欠陥としてSiC/SiO₂界面におけるCクラスターが長年注目されているが，その形成分解過程は未だ明確ではない．本研究ではSiO₂中でのCクラスターの生成，分解挙動の解明を目的に，分子動力学法を用いて様々な組成条件下におけるa-SiO₂中のCクラスターの形成やその構造，Nの含有が形成挙動に与える効果について解析した．