[14p-P03-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[14p-P03-2] Study on resonant tunneling diodes based on polarization-matched epitaxial structures with multicomponent group-III nitrides

〇(B)hikaru imaizumi¹, akira mase¹, takashi egawa¹, makoto miyoshi¹ (1.Nagoya Institute of Tech.)

Keywords:

resonant tunneling diodes,III nitrides,polarization-matched

Beyond 5G/6Gに適用可能な超高速・大容量通信を実現するテラヘルツ波発信デバイスとして、共鳴トンネルダイオード（RTD）が注目されている。これまでのRTDでは出力電力が小さいという課題があり、GaN系RTD開発への関心が高まっている。本研究では四元混晶AlGaInNを用いた新しい窒化物系RTDを着想、高出力を狙える工夫をした構造設計とデバイスシミュレータを用いた性能予測を行ったので報告する。