講演情報
[14p-P03-2]多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた共鳴トンネルダイオードの検討
〇(B)今泉 輝1、間瀬 晃1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
キーワード：
共鳴トンネルダイオード、III族窒化物、分極整合
Beyond 5G/6Gに適用可能な超高速・大容量通信を実現するテラヘルツ波発信デバイスとして、共鳴トンネルダイオード（RTD）が注目されている。これまでのRTDでは出力電力が小さいという課題があり、GaN系RTD開発への関心が高まっている。本研究では四元混晶AlGaInNを用いた新しい窒化物系RTDを着想、高出力を狙える工夫をした構造設計とデバイスシミュレータを用いた性能予測を行ったので報告する。