[14p-P03-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[14p-P03-5] Evaluation of epitaxial structure of 3C/4H-SiC heterojunction and AlGaN/GaN heterojunction

〇Tokio Takahashi¹, Hiroyuki Sazawa¹, Hisashi Yamada¹, Shi-yang JI¹, Yasunori Tanaka¹ (1.AIST)

Keywords:

GaN/SiC hybrid device

Ga面AlGaN/GaNヘテロ接合には2次元電子ガス（2DEG）が、Si面3C/4H-SiCヘテロ接合には2次元ホールガス（2DHG）が誘起される．これらをエピタキシャルに積層すれば相補型トランジスタとしての利用が期待できる．我々はSi面4H-SiC基板に3C-SiCを積層してSi面3C/4H-SiCヘテロ接合を形成、その上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し評価を行った．