[14p-P03-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[14p-P03-5] AlGaN/GaNヘテロ接合と3C/4H-SiCヘテロ接合を積層した基板の評価

〇高橋 言緒¹、佐沢 洋幸¹、山田 永¹、紀 世陽¹、田中 保宣¹ (1.産総研)

キーワード：

GaN/SiCハイブリッドデバイス

Ga面AlGaN/GaNヘテロ接合には2次元電子ガス（2DEG）が、Si面3C/4H-SiCヘテロ接合には2次元ホールガス（2DHG）が誘起される．これらをエピタキシャルに積層すれば相補型トランジスタとしての利用が期待できる．我々はSi面4H-SiC基板に3C-SiCを積層してSi面3C/4H-SiCヘテロ接合を形成、その上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し評価を行った．