[14p-P03-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[14p-P03-9] Effects of Dehydrogenation Annealing Using AlON Surface-Protection Layer on p-GaN MOS interface

〇Masanobu Takahashi¹, Yining Jiao¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

GaN

窒化ガリウム(GaN)に対するアニールは、高効率パワーデバイス作製上必須の技術であり、本報告においては、p-GaNに対するAlONキャップアニールのMOS界面に与える影響について調べた結果を報告する。850℃/30 分の AlON キャップアニール試料と800℃/5分のキャップレスアニール試料のMOS構造をを作製し、その評価と比較を行った。