講演情報
[14p-P03-9]AlON表面保護膜を用いた脱水素アニールがp-GaN MOS界面に与える影響
〇高橋 尚伸1、焦 一寧1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード：
窒化ガリウム
窒化ガリウム(GaN)に対するアニールは、高効率パワーデバイス作製上必須の技術であり、本報告においては、p-GaNに対するAlONキャップアニールのMOS界面に与える影響について調べた結果を報告する。850℃/30 分の AlON キャップアニール試料と800℃/5分のキャップレスアニール試料のMOS構造をを作製し、その評価と比較を行った。