[14p-P05-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-P05-1] Elucidation of the atom mixing mechanism in AlN/GaN

〇(M1)Daiki Fujita¹, Masato Oda¹, Yoshihiro Kangawa² (1.Wakayama Univ., 2.Kyushu Univ.)

Keywords:

AlN/GaN,atom mixing,first-principles calculation

次世代パワーデバイス材料として優れた物性値をもつAlNとGaNを用いたAlN/GaN結晶はAlNとGaNの原子間隔の差に起因してAlNとGaNの界面に欠陥が生じ、この欠陥を介した原子拡散による混晶化が起こることが問題となっている。本研究では、密度汎関数理論に基づく第一原理計算(DFT計算)を用いてAlN/GaN中の複合空孔欠陥の形成エネルギーと複合空孔欠陥の拡散反応障壁を計算することで、混晶化機構について調べる。