講演情報
[14p-P05-1]AlN/GaNにおける混晶化機構の解明
〇(M1)藤田 大輝1、小田 将人1、寒川 義裕2 (1.和歌山大シス工、2.九州大応力研)
キーワード：
AlN/GaN、混晶化、第一原理計算
次世代パワーデバイス材料として優れた物性値をもつAlNとGaNを用いたAlN/GaN結晶はAlNとGaNの原子間隔の差に起因してAlNとGaNの界面に欠陥が生じ、この欠陥を介した原子拡散による混晶化が起こることが問題となっている。本研究では、密度汎関数理論に基づく第一原理計算(DFT計算)を用いてAlN/GaN中の複合空孔欠陥の形成エネルギーと複合空孔欠陥の拡散反応障壁を計算することで、混晶化機構について調べる。