[14p-P05-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-P05-11] Hydrogen production using GaN nanocrystal photocatalysts fabricated by MOVPE

〇Hiroaki Jiroku¹, Yosuke Kageshima², Hiromasa Nishikiori² (1.Seiko Epson Corp., 2.Shinshu Univ.)

Keywords:

artificial photosynthesis

MOVPE法にて成膜したn-GaNテンプレートにSiO2マスク選択成長MOVPE法を用いて極性面と非極性面を有する六角形のn-GaNナノ結晶を作製した。これを光触媒として水素生成半反応評価を行ったところ、水素生成量はGaNテンプレートに比べて少なくなった。その原因としては、GaNナノ結晶の表面構造に起因する反応性の低下が考えられる。