[14p-P05-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-P05-11] MOVPE法で作製したGaNナノ結晶光触媒による水素生成

〇次六 寛明¹、影島 洋介²、錦織 広昌² (1.セイコーエプソン(株)、2.信州大)

キーワード：

人工光合成

MOVPE法にて成膜したn-GaNテンプレートにSiO2マスク選択成長MOVPE法を用いて極性面と非極性面を有する六角形のn-GaNナノ結晶を作製した。これを光触媒として水素生成半反応評価を行ったところ、水素生成量はGaNテンプレートに比べて少なくなった。その原因としては、GaNナノ結晶の表面構造に起因する反応性の低下が考えられる。