[14p-P05-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-P05-9] Growth of GaN layer by plasma-enhanced LPE method (III)

〇DAIKI HIROSE¹, HARUKI NAKAGAWA¹, SYUTO MINE¹, KEISUKE YOSHIDA¹, HIROYUKI SHINODA¹, NOBUKI MUTSUKURA¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:

GaN,LPE,semiconductor

我々は，プラズマLPE法を用いたGaN層の成長について検討を行っている．この方法は，スパッタリング法にて堆積させたGa層へ窒素プラズマを照射させる事で，液体Gaと基板の界面でGaN層を成長する事ができる．今回は，GaN層の成長時の基板温度を変化させた場合の結晶性等について検討を行ったので報告する．