講演情報
[14p-P05-9]プラズマLPE法によるGaN層の成長（III）
〇廣瀬 大輝1、中川 治紀1、三根 秀斗1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
窒化ガリウム、液相成長、半導体
我々は，プラズマLPE法を用いたGaN層の成長について検討を行っている．この方法は，スパッタリング法にて堆積させたGa層へ窒素プラズマを照射させる事で，液体Gaと基板の界面でGaN層を成長する事ができる．今回は，GaN層の成長時の基板温度を変化させた場合の結晶性等について検討を行ったので報告する．