[14p-P10-1~25] Symposium on Research and Human-Capital Development Activities aimed at Creating Next-Generation Semiconductors Industry

[14p-P10-1] 4MGy Gamma-ray radiation effects on 4H-SiC active pixel sensors with Embedded UV Photodiode

〇(M1)Kazuma Tanigawa¹, Tatsuya Meguro¹, Akinori Takeyama², Takeshi Ohshima², Kazutoshi Kojima³, Yasunori Tanaka³, Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.RISE, Hiroshima Univ., 2.QST, 3.AIST)

Keywords:

semiconductor,SiC,image sensor

放射線照射による量子効率低下を抑制するために、埋め込み型フォトダイオードを有するSiCアクティブピクセルセンサを提案・作製した。作製デバイスに4 MGyまでガンマ線照射後、量子効率は埋め込み型がそうでないものと比べ高い値を示しており、埋め込み型フォトダイオードが耐放射線性向上に有効であることを示した。