[14p-P10-1~25] 次世代半導体創生に向けた研究・人財育成活動シンポジウム

[14p-P10-1] 埋め込み型フォトダイオードを有するSiCアクティブピクセルセンサへの4MGyガンマ線照射効果

〇(M1)谷川 宗磨¹、目黒 達也¹、武山 昭憲²、大島 武²、児島 一聡³、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大 RISE、2.量研、3.産総研)

キーワード：

半導体、シリコンカーバイド、イメージセンサ

放射線照射による量子効率低下を抑制するために、埋め込み型フォトダイオードを有するSiCアクティブピクセルセンサを提案・作製した。作製デバイスに4 MGyまでガンマ線照射後、量子効率は埋め込み型がそうでないものと比べ高い値を示しており、埋め込み型フォトダイオードが耐放射線性向上に有効であることを示した。