[14p-P10-1~25] Symposium on Research and Human-Capital Development Activities aimed at Creating Next-Generation Semiconductors Industry

[14p-P10-23] Research on Area Selective Atomic Layer Deposition of Ruthenium

〇Shogo Okugawa¹, Rahman Gagi Tauhidur¹, Ryo Yokogawa^1,2, Yoshiteru Amemiya², Akinobu Teramoto^1,2,3 (1.Grad. Sch. of Adv. Eng., Hiroshima Univ, 2.RISE, Hiroshima Univ, 3.HiSOR, Hiroshima Univ)

Keywords:

semiconductor,deposition,ruthenium

近年の半導体集積回路は、微細化技術の発展によりその性能 の向上を達成しており、今後さらなる微細化に向け技術の発展が求められる。現在、先端集積回路の配線層には銅(Cu)が使われているが、拡散を防ぐためバリアメタル(TiN, TaN)が必要である。微細化によりその割合が増加することで、抵抗が増加する課題が生じている。そこで近年、バリアメタルを必要とせず、微細領域でも低抵抗を維持できるルテニウム(Ru)が注目されている。一般にRuの成膜には ALD (Atomic Layer Deposition)法が用いられている。特に表面を吸着可能な成長面 と不可能な非成長面に分けて、成長面のみ成膜が進むという選 択成長技術であるASALD (Area Selective ALD)が検討されている。本研究はRuのASALD成膜について検討を行ったので報告する。