[14p-P10-1~25] Symposium on Research and Human-Capital Development Activities aimed at Creating Next-Generation Semiconductors Industry

[14p-P10-24] Development of ILD process for 3D inductor on RF power amplifier

〇Sadanori Arae¹, Daiki Takayama¹, Yukihiro Tsuji¹, Ken Nakata¹ (1.Sumitomo Electric Industries)

Keywords:

RF device,Inductor

近年、SiC上に形成されたGaN HEMT、整合回路やバイアス回路で構成された高周波パワーアンプは周波数の上昇に伴い低損失な構成実態のMMICが求められる。一方、基板としてはSiCを用いるためコストが課題となる。そのため低損失かつ、小型化による低コスト化が重要である。我々は小型化に有利な3次元構造を有するインダクタ素子に注目した。層間膜としてSiO2と、ポリイミドを用いた3次元インダクタを作製、特性を比較したので報告する。