講演情報
[14p-P10-24]高周波パワーアンプ向け3次元インダクタ素子に関する層間膜プロセスの開発
〇新江 定憲1、高山 大希1、辻 幸洋1、中田 健1 (1.住友電工)
キーワード：
高周波デバイス、インダクタ
近年、SiC上に形成されたGaN HEMT、整合回路やバイアス回路で構成された高周波パワーアンプは周波数の上昇に伴い低損失な構成実態のMMICが求められる。一方、基板としてはSiCを用いるためコストが課題となる。そのため低損失かつ、小型化による低コスト化が重要である。我々は小型化に有利な3次元構造を有するインダクタ素子に注目した。層間膜としてSiO2と、ポリイミドを用いた3次元インダクタを作製、特性を比較したので報告する。