[15a-K101-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[15a-K101-2] Charge noise dependence on the electron number in a planar silicon quantum dot

〇Raisei Mizokuchi¹, Riku Wada¹, Ryutaro Matsuoka¹, Itaru Yanagi², Toshiyuki Mine², Ryuta Tsuchiya², Digh Hisamoto², Hiroyuki Mizuno², Shunsuke Ota¹, Jun Yoneda^1,3, Tetsuo Kodera¹ (1.Science Tokyo, 2.Hitachi Ltd, 3.UTokyo)

Keywords:

quantum dot,silicon

シリコン量子ドットを用いたスピン量子ビットは既存の半導体技術との整合性から集積化に有望視されている。この量子ビットにおけるデコヒーレンス時間や緩和時間に影響する主なノイズ源として電荷ノイズが有るが、電荷数が増えるにつれて低減することが期待される。本研究では、電荷ノイズの低減に向け、高忠実度な量子ビット動作が実現されている平面型のシリコン量子ドットにおいて、電荷数に対する電荷ノイズの依存性を調べた。