[15a-K101-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:30 〜 9:45

[15a-K101-2] 平面型シリコン量子ドットにおける電荷ノイズの電子数依存性

〇溝口 来成¹、和田 陸久¹、松岡 竜太郎¹、柳 至²、峰 利之²、土屋 龍太²、久本 大²、水野 弘之²、太田 俊輔¹、米田 淳^1,3、小寺 哲夫¹ (1.東京科学大、2.日立研開、3.東大)

キーワード：

量子ドット、シリコン

シリコン量子ドットを用いたスピン量子ビットは既存の半導体技術との整合性から集積化に有望視されている。この量子ビットにおけるデコヒーレンス時間や緩和時間に影響する主なノイズ源として電荷ノイズが有るが、電荷数が増えるにつれて低減することが期待される。本研究では、電荷ノイズの低減に向け、高忠実度な量子ビット動作が実現されている平面型のシリコン量子ドットにおいて、電荷数に対する電荷ノイズの依存性を調べた。