[15a-K101-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[15a-K101-8] Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by
charge pumping in individual defects at MOS interface (14) -Averaged CP current-

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:

MOS interface defects,amphoteric nature,charge pumping method

界面欠陥1個当たりの室温でのCP電流I_CPSは欠陥タイプによって0～2fq（f:ゲートパルス周波数，q:電気素量）の様々な値であるため，従来用いてきた界面欠陥数N_T=I_CPMAX/fq) は成立しない（I_CPMAXは最大CP電流）．しかし，試料内の多数の界面欠陥の平均的なI_CPS (I_CPSAV)を導出でき，それが普遍的な値であればN_T=I_CPMAX/I_CPSAV) としてN_Tを導出できる．本件ではそのようなI_CPSAVの導出を試みる．