講演情報
[15a-K101-8]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (14) -平均的CP電流-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
MOS界面欠陥、両性準位、チャージポンピング法
界面欠陥1個当たりの室温でのCP電流ICPSは欠陥タイプによって0～2fq（f:ゲートパルス周波数，q:電気素量）の様々な値であるため，従来用いてきた界面欠陥数NT=ICPMAX/fq) は成立しない（ICPMAXは最大CP電流）．しかし，試料内の多数の界面欠陥の平均的なICPS (ICPSAV)を導出でき，それが普遍的な値であればNT=ICPMAX/ICPSAV) としてNTを導出できる．本件ではそのようなICPSAVの導出を試みる．