[15a-K101-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[15a-K101-9] Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by charge pumping in individual defects at MOS interface (15) -DOS analysis (I)-

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.shizuoka Univ.)

Keywords:

MOS interface defects,density of states,Pb0 and Pb1 centers

本件は次の講演「DOSの分析 (II)」の前段として，(100)Si/SiO₂界面トラップの準位密度DOSはP_bセンターに対応した”double peak”の分布形状をしており，現在でも依然として広く認識されている”U-shape”ではないことを明確にする．また，(100)Si/SiO₂界面のP_b（P_b0とP_b1）センターのDOSに関する背景についても述べる．