講演情報

11:30 〜 11:45

[15a-K101-9]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (15) -DOSの分析(I)-

〇土屋敏章¹、堀匡寛¹、小野行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：

MOS界面欠陥、準位密度分布、Pb0とPb1センター

本件は次の講演「DOSの分析 (II)」の前段として，(100)Si/SiO₂界面トラップの準位密度DOSはP_bセンターに対応した”double peak”の分布形状をしており，現在でも依然として広く認識されている”U-shape”ではないことを明確にする．また，(100)Si/SiO₂界面のP_b（P_b0とP_b1）センターのDOSに関する背景についても述べる．

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