[15a-K302-1~11] 13.9 Compound solar cells

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K302-11] Fabrication of ZnSnP₂ crystals by selective area epitaxy

〇Isshin Sumiyoshi¹, Yoshitaro Nose¹, Sebastian Lehmann², Aidas Urbonavicius², Kimberly Dick², Simon Steinvall² (1.Kyoto Univ., 2.Lund Univ.)

Keywords:

selective area epitaxy,MOCVD,chalcogenide

新規光吸収層材料であるZnSnP₂薄膜の結晶基板には，主にGaAsが用いられてきた．これはZnSnP₂とGaAsの格子定数がそれぞれ5.651, 5.654 Åと非常に近いためである．しかし，アニオンの違いに起因して，界面にGaP層（a=5.451Å）が生成する可能性があり，格子整合基板として適さない．そこで我々は，選択領域エピタキシー法を用いてZnSnP₂結晶の作製を試みた．その結果，InP(100)基板上にエピタキシャル成長した一辺約30nmのピラミッド状のZnSnP₂結晶が得られた．