[15a-K302-1~11] 13.9 化合物太陽電池

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[15a-K302-11] 選択領域エピタキシー法を用いたZnSnP₂結晶の作製

〇住吉 壱心¹、野瀬 嘉太郎¹、Lehmann Sebastian²、Urbonavicius Aidas²、Dick Kimberly²、Steinvall Simon² (1.京都大、2.Lund大)

キーワード：

選択領域エピタキシー、MOCVD、カルコゲナイド

新規光吸収層材料であるZnSnP₂薄膜の結晶基板には，主にGaAsが用いられてきた．これはZnSnP₂とGaAsの格子定数がそれぞれ5.651, 5.654 Åと非常に近いためである．しかし，アニオンの違いに起因して，界面にGaP層（a=5.451Å）が生成する可能性があり，格子整合基板として適さない．そこで我々は，選択領域エピタキシー法を用いてZnSnP₂結晶の作製を試みた．その結果，InP(100)基板上にエピタキシャル成長した一辺約30nmのピラミッド状のZnSnP₂結晶が得られた．