[15a-K310-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K310-1] Multilayering Effects to Strain and Optical Properties of Dot-on-dot Ge Nanodots

〇Yuta Ito¹, Ryo Yokogawa^2,3,4, Wei-Chen Wen⁵, Yuji Yamamoto⁵, Yuiha Maeda¹, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.RISE, 4.Hiroshima Univ., 5.IHP)

Keywords:

nanodot,multilayer,strain

Ⅳ族材料によるナノドットはSiプロセスとの高い親和性よりOn chip、Chip内光素子への応用が期待される。自己組織化成長はドットの多層化が容易であり、積層配列やサイズの制御が可能である。しかし、多層化に伴い、上下スペーサよりナノドットに導入される歪量、光学特性は未だ不明確である。以上を鑑み、SiGeをスペーサとするDot-on-dot Geナノドットにおける露出ドット、埋め込みドットの比較を行い、多層化が発光特性に与える影響を調査した。