[15a-K310-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[15a-K310-1] Dot-on-dot Geナノドットにおける多層化が歪および光学特性に及ぼす影響

〇伊藤 佑太¹、横川 凌^2,3,4、Wen Wei-Chen⁵、山本 裕司⁵、前田 唯葉¹、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.広島大RISE、4.広島大院先進理工、5.IHP)

キーワード：

ナノドット、多層、ひずみ

Ⅳ族材料によるナノドットはSiプロセスとの高い親和性よりOn chip、Chip内光素子への応用が期待される。自己組織化成長はドットの多層化が容易であり、積層配列やサイズの制御が可能である。しかし、多層化に伴い、上下スペーサよりナノドットに導入される歪量、光学特性は未だ不明確である。以上を鑑み、SiGeをスペーサとするDot-on-dot Geナノドットにおける露出ドット、埋め込みドットの比較を行い、多層化が発光特性に与える影響を調査した。