[15a-K401-1~8] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K401-4] Reduction of On-resistance in Pseudomorphic AlN/GaN/AlN HEMT on AlN Substrate with Critical Electric Field of 2 MV/cm

〇Taegi Lee¹, Akira Yoshikawa^1,3, Sho Sugiyama¹, Manabu Arai³, Yuji Ando^2,3, Jun Suda^2,3, Hiroshi Amano^2,3 (1.Asahi Kasei Corp., 2.Nagoya Univ., 3.IMaSS)

Keywords:

aluminum nitride,HEMT,MOVPE

GaN HEMTを高耐圧化するための方法の一つとして, 6.0 eVのワイドバンドギャップを有するAlNを活用することが期待されている. これまで我々は量産性に優れたMOVPE法によりAlN基板上シュードモルフィックAlN/GaN/AlN HEMTを実現し, 最大2.2 MV/cmの高い耐圧をもつことを実証してきた. 本研究ではAlN/GaN/AlN HEMTのオン抵抗低減に成功したので報告する.