講演情報

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[15a-K401-4]2 MV/cmの高い絶縁破壊電界を有するAlN基板上シュードモルフィックAlN/GaN/AlN HEMTのオン抵抗低減

〇李太起¹、吉川陽^1,3、杉山聖¹、新井学³、安藤裕二^2,3、須田淳^2,3、天野浩^2,3 (1.旭化成、2.名大院工、3.名大IMaSS)

キーワード：

窒化アルミニウム、HEMT、MOVPE

GaN HEMTを高耐圧化するための方法の一つとして, 6.0 eVのワイドバンドギャップを有するAlNを活用することが期待されている. これまで我々は量産性に優れたMOVPE法によりAlN基板上シュードモルフィックAlN/GaN/AlN HEMTを実現し, 最大2.2 MV/cmの高い耐圧をもつことを実証してきた. 本研究ではAlN/GaN/AlN HEMTのオン抵抗低減に成功したので報告する.

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