[15a-K401-1~8] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K401-7] Effect of External Stress on Electrical Properties of N-polar GaN/Al_0.9Ga_0.1N/AlN HEMT

〇(DC)Aina Hiyama Zazuli¹, Kai Fujii¹, Ryosuke Ninoki¹, Taisei Kimoto¹, Fumiya Yamanaka¹, Nobuteru Hirata¹, Haruki Danbata¹, Amane Hayashiuchi¹, Satoshi Kurai¹, Narihito Okada¹, Yoichi Yamada¹ (1.Grad. School of Sci. & Tech. for Innovation, Yamaguchi Univ.)

Keywords:

N-polar GaN,External stress

意図的にHEMTの結晶に歪を加えることによるトランジスタ特性の制御が期待できることから、本研究ではN極性GaN HEMT構造に様々な外部応力を加えたときの電気特性の変化について調べた。
結果、N極性GaNは引っ張り歪により電流値が増加し、圧縮歪によって電流値は増加した。また、ホール効果測定を行ったことで、この変化はピエゾ分極による影響にくらべ移動度の変化による影響のほうが大きいことが分かった。