[15a-K401-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[15a-K401-7] 外部応力によるN極性GaN/Al_0.9Ga_0.1N/AlN HEMTの電気特性変化

〇(DC)Zazuli Hiyama Aina¹、藤井 開¹、仁ノ木 亮祐¹、木本 大星¹、山中 郁哉¹、平田 靖晃¹、段畠 陽樹¹、林内 天¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、山田 陽一¹ (1.山口大創成科学)

キーワード：

N極性GaN、外部応力

意図的にHEMTの結晶に歪を加えることによるトランジスタ特性の制御が期待できることから、本研究ではN極性GaN HEMT構造に様々な外部応力を加えたときの電気特性の変化について調べた。
結果、N極性GaNは引っ張り歪により電流値が増加し、圧縮歪によって電流値は増加した。また、ホール効果測定を行ったことで、この変化はピエゾ分極による影響にくらべ移動度の変化による影響のほうが大きいことが分かった。