[15a-K403-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K403-2] Electrical Properties of Nitrogen-Doped β-Ga₂O₃ (010) Thin Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

〇(B)Yusuke Teramura¹, Kura Nakaoka¹, Shoki Taniguchi¹, Jin Inajima¹, Tomoki Uehara¹, Kohki Tsujimoto¹, Satoko Honda¹, Takumi Ohtsuki², Takafumi Kamimura², Masataka Higashiwaki^1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT)

Keywords:

gallium oxide,wide-bandgap semiconductor,plasma-assisted molecular beam epitaxy

β-Ga₂O₃ エピタキシャル薄膜成長において、Si による基板表面汚染が、横型 FET のドレイン電流リークにつながるという問題がある。解決策として、ディープアクセプタとなる窒素 (N) をドーピングした層を挿入し、界面の Si ドナーを補償する方法が挙げられる。本研究では、プラズマ援用分子線エピタキシー成長した N ドープ Ga₂O₃ 薄膜の電気的特性、特にドナー補償効果を調査した。