講演情報
[15a-K403-2]プラズマ援用 MBE 成長した窒素ドープ β-Ga2O3 (010)薄膜の電気的特性
〇(B)寺村 祐輔1、中岡 蔵1、谷口 奨季1、稲嶌 仁1、上原 知起1、辻本 晃基1、本田 智子1、大槻 匠2、上村 崇史2、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム、ワイドギャップ半導体、プラズマ援用分子線エピタキシー
β-Ga2O3 エピタキシャル薄膜成長において、Si による基板表面汚染が、横型 FET のドレイン電流リークにつながるという問題がある。解決策として、ディープアクセプタとなる窒素 (N) をドーピングした層を挿入し、界面の Si ドナーを補償する方法が挙げられる。本研究では、プラズマ援用分子線エピタキシー成長した N ドープ Ga2O3 薄膜の電気的特性、特にドナー補償効果を調査した。