[15a-K403-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[15a-K403-3] High-Density Si Doping Into Ga₂O₃ by Hot Implantation (1) – Structural Characterization –

〇Shun Konno¹, Daisuke Matsuo¹, Kotaro Yagi², Shinya Takemura¹, Kosuke Usui¹, Yasunori Andoh³, Kohei Tanaka¹, Masataka Higashiwaki^2,4 (1.Nissin Ion Equipment, 2.Osaka Metropolitan Univ., 3.Nissin Electric, 4.NICT)

Keywords:

ion Implantation,Gallium Oxide

酸化ガリウム (Ga2O3)への高濃度Siイオン注入ドーピング時の、基板温度の効果について検証した。 室温から450℃までの基板温度で、深さ150nmに最大2×10²⁰cm^-3のBoxイオン注入を行った後、925°C、20分間の活性化アニールを行った。RBSによる評価の結果、大幅な結晶性回復が認められ、加熱注入の有効性が確認できた。