講演情報
[15a-K403-3]加熱注入によるGa2O3への高濃度Siドーピング (1) – 構造評価 –
〇金野 舜1、松尾 大輔1、八木 虎太郎2、竹村 真哉1、臼井 洸佑1、安東 靖典3、田中 浩平1、東脇 正高2,4 (1.日新イオン機器、2.大阪公大院工、3.日新電機、4.情通機構)
キーワード：
イオン注入、酸化ガリウム
酸化ガリウム (Ga2O3)への高濃度Siイオン注入ドーピング時の、基板温度の効果について検証した。 室温から450℃までの基板温度で、深さ150nmに最大2×1020cm-3のBoxイオン注入を行った後、925°C、20分間の活性化アニールを行った。RBSによる評価の結果、大幅な結晶性回復が認められ、加熱注入の有効性が確認できた。