[15a-K403-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K403-4] High-Density Si Doping Into Ga₂O₃ by Hot Implantation (2) - Electrical Properties -

〇(M1)Kotaro Yagi¹, Daisuke Matsuo², Shun Konno², Shinya Takemura², Kosuke Usui², Yasunori Andoh³, Kohei Tanaka², Masataka Higashiwaki^1,4 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Nissin Ion Equipment, 3.Nissin Electric, 4.NICT)

Keywords:

semiconductor,ion implantation,gallium oxide

Ga₂O₃への濃度1 × 10²⁰ cm^-3の室温Siイオン注入ドーピングにおいては、その活性化率が10%以下となる問題が報告されている。本研究では、加熱注入によりSi > 1 × 10²⁰ cm^-3での活性化率向上を試みた。結果、Si = 1 × 10²⁰, 2 × 10²⁰ cm^-3で、室温注入と比べてシート抵抗が約1/4と大幅に減少し、高濃度Siドーピングにおける加熱注入の有効性が示された。