講演情報
[15a-K403-4]加熱注入によるGa2O3への高濃度Siドーピング (2) ｰ 電気的特性 ｰ
〇(M1)八木 虎太郎1、松尾 大輔2、金野 舜2、竹村 真哉2、臼井 洸佑2、安東 靖典3、田中 浩平2、東脇 正高1,4 (1.大阪公大院工、2.日新イオン機器、3.日新電機、4.情通機構)
キーワード：
半導体、イオン注入、酸化ガリウム
Ga2O3への濃度1 × 1020 cm-3の室温Siイオン注入ドーピングにおいては、その活性化率が10%以下となる問題が報告されている。本研究では、加熱注入によりSi > 1 × 1020 cm-3での活性化率向上を試みた。結果、Si = 1 × 1020, 2 × 1020 cm-3で、室温注入と比べてシート抵抗が約1/4と大幅に減少し、高濃度Siドーピングにおける加熱注入の有効性が示された。