[15a-K403-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[15a-K403-8] Consideration on the effects of surface treatment and dielectric layer formation on chemical states of β-Ga₂O₃ in near-surface region estimated from changes in lattice constant

〇Koki Katagiri¹, Takashi Onaya¹, Koji Kita¹ (1.GSFS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:

Ga2O3,lattice constant,oxygen deficiency

SiO₂/β-Ga₂O₃ MOS界面特性には酸素欠損に関わる欠陥構造が強く影響していることが示唆されている。本研究では、β-Ga₂O₃は酸素空孔生成により伸長歪みが生じることに着目し、アニール処理やSiO₂の成膜によるβ-Ga₂O₃の酸素欠損への影響を、格子定数の観点から明らかにすることを試みた。その結果、XPSで見える酸素欠損とXRDで見える酸素欠損に相関が見られることがわかった。