講演情報
[15a-K403-8]格子定数の変化から推定したβ-Ga2O3表面近傍での化学状態に対する表面処理および絶縁膜成長の影響の考察
〇片桐 浩生1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
キーワード：
Ga2O3、格子定数、酸素欠損
SiO2/β-Ga2O3 MOS界面特性には酸素欠損に関わる欠陥構造が強く影響していることが示唆されている。本研究では、β-Ga2O3は酸素空孔生成により伸長歪みが生じることに着目し、アニール処理やSiO2の成膜によるβ-Ga2O3の酸素欠損への影響を、格子定数の観点から明らかにすることを試みた。その結果、XPSで見える酸素欠損とXRDで見える酸素欠損に相関が見られることがわかった。