[15a-K509-1~6] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K509-1] Analysis of Impurity Concentration Dependence in MOS Structures Using Operando Bias-Application Measurements by Laboratory HAXPES

〇Takuya Minowa¹, Koji Usuda², Ryo Yokogawa^2,3,4, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.RISE, 4.Hiroshima Univ.)

Keywords:

Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy,Metal-oxide-semiconductor,Applied Bias

電圧印加硬X線光電子分光法において、印加電圧とバンド構造との関係の解明は未だ不十分である。本稿では、MOS構造におけるSi基板の不純物濃度に対するバンド変化の関係性を検討した。結果として、光電子スペクトルのピークシフトに対する電位印加依存性の転換点には強反転層及び蓄積層へと変化する際の情報を含み、本手法を用いれば、MOS構造に電位を印加した際のバンド構造由来の状態変化を随時可視化可能と期待される。