[15a-K509-1~6] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[15a-K509-1] 実験室系HAXPESを用いた電圧印加オペランド測定のMOS構造における不純物濃度依存性の解析

〇箕輪 卓哉¹、臼田 宏冶²、横川 凌^2,3,4、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.広島大RISE、4.広島大院先進理工)

キーワード：

硬X線光電子分光法、MOS、電位印加

電圧印加硬X線光電子分光法において、印加電圧とバンド構造との関係の解明は未だ不十分である。本稿では、MOS構造におけるSi基板の不純物濃度に対するバンド変化の関係性を検討した。結果として、光電子スペクトルのピークシフトに対する電位印加依存性の転換点には強反転層及び蓄積層へと変化する際の情報を含み、本手法を用いれば、MOS構造に電位を印加した際のバンド構造由来の状態変化を随時可視化可能と期待される。